AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF5S21090HR3 MRF5S21090HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2100
2120
2160
2.4 -- j2.0
2.1 -- j1.9
2.2 -- j2.1
3.4 -- j5.1
3.2 -- j5.4
3.0 -- j4.4
VDD
=28Vdc,IDQ
= 850 mA, Pout
=19WAvg.
Zo
=10?
Zload
f = 2100 MHz
f = 2200 MHz
Zsource
f = 2100 MHz
f = 2200 MHz
2200 1.8 -- j1.63.0 -- j4.0
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF5S21100HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
MRF5S21130HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-880S
MRF5S4125NR1
MOSFET RF SGL 450MHZ TO-270-4
MRF5S4140HSR5
MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S
MRF5S9070MR1
MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2
MRF5S9070NR5
MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2
MRF5S9080NR1
MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4
MRF5S9100MR1
MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4
相关代理商/技术参数
MRF5S21090L
制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF5S21090LR3
制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF5S21090LSR3
制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF5S21100HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S21100HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S21100HSR3
功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21100HSR5
功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21100LR3
制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs